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MJD112-1G by onsemi
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FICHA TÉCNICA

MJD112-1G

onsemi

The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications. .. Ver descripción completa

RoHS no cumple con RoHS
embalaje
Accesorios
Accesorios
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Atributo del producto
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Productos Encontrados: 0
Proveedor:
onsemi
Nº de pieza:
MJD112-1G
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
MY
ECCN:
EAR99
Empaque estándar del proveedor Esta información se proporciona a los clientes que prefieren comprar en múltiplos de la cantidad del paquete estándar del fabricante. Las cantidades mínimas de pedido y los múltiplos de pedido requeridos se presentan con nuestra información de precio y disponibilidad.
75
Dimensión:
6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm
Familia:
MJD112
Tensión colector-emisor máxima:
100 V
Tensión Máxima de Saturación Base-Emisor:
4@40mA@4A V
Tensión colector-base máxima:
100 V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Máxima:
2@8mA@2A,3@40mA@4A V
The MJD112-1G is an NPN silicon Darlington power transistor intended for general-purpose power and switching tasks. This device is rated for a collector-emitter voltage of 100 V and a continuous collector current of 2 A, with a peak current rating of 4 A. It features a high DC current gain and can dissipate up to 20 W at a case temperature of 25°C. Housed in a DPAK-3 package with straight leads, it is suitable for use as an output or driver stage in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.
Palabras clave de búsqueda:
MJD1121G
EN STOCK: 42.150
Puede enviar inmediatamente
Cantidad mínima de pedido:
75
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75
Plazo de entrega de fábrica
29 Semanas
Precio (USD)
Cantidad
Precio unitario
Precio total
75
$1.0117
$75.8775
300
$0.6615
$198.4500
1.050
$0.5178
$543.6900
2.550
$0.4701
$1,198.7550
5.025
$0.4653
$2,338.1325
7.500
$0.4545
$3,408.7500
10.050
$0.4437
$4,459.1850
15.000 +
$0.4426
$6,639.0000
Embalaje estándar del proveedor
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