FDG1024NZ

The FDG1024NZ is a 20 V, 1.2 A dual N-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET housed in a compact SC70-6 package. .. Ver descripción completa

RoHS no cumple con RoHS

Reel embalaje

Descontinuado y reemplazado

Accesorios

Certificate of Compliance Guarantee

Atributo del producto

Valor de atributo Seleccionar atributo

Productos Encontrados: 0

Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

FDG1024NZ

RoHS:

HTS:

8541210095

COO:

ECCN:

EAR99

Paquete estándar del proveedor Esta información se proporciona a los clientes que prefieren comprar en múltiplos de la cantidad del paquete estándar del fabricante. Las cantidades mínimas de pedido y los múltiplos de pedido requeridos se presentan con nuestra información de precios y d

Esta información se proporciona a los clientes que prefieren comprar en múltiplos de la cantidad del paquete estándar del fabricante. Las cantidades mínimas de pedido y los múltiplos de pedido requeridos se presentan con nuestra información de precios y d

3000

Tipo de paquete:

Reel

Ciclo vital:

Descontinuado y reemplazado

The FDG1024NZ is a dual N-Channel logic level enhancement mode field-effect transistor produced using a high-density DMOS process. It features a low on-state resistance, with a maximum rDS(on) of 175 mâ„¦ at a gate-source voltage of 4.5 V. With a very low gate threshold voltage (VGS(th) < 1 V), the device supports low-level gate drive requirements, enabling operation in 1.5 V circuits. Housed in a very small SC70-6 package, this MOSFET is designed for low-voltage applications as an efficient replacement for bipolar digital transistors and small-signal MOSFETs.