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2N7000 by onsemi
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FICHA TÉCNICA

2N7000

onsemi

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 Ω

Cumple con RoHS
embalaje
Accesorios
Accesorios
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Atributo del producto
Valor del atributo Seleccionar atributo
Productos Encontrados: 0
Proveedor:
onsemi
Nº de pieza:
2N7000
RoHS:
Yes
HTS:
8541210095
COO:
KR
ECCN:
EAR99
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10000
Tipo de Canal:
N
Corriente de Drenaje Continua Máxima:
0.2 A
Dimensión:
5.2(Max) x 4.19(Max) x 5.33(Max) mm
Familia:
2N7000
Modo de Canal:
Enhancement
Resistencia drenaje-fuente máxima:
5000@10V mOhm
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 Ω
Palabras clave de búsqueda:
2N7000
  Diferentes opciones de embalaje disponibles.  Ver Alternativas
EN STOCK: 22.900
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Cantidad mínima de pedido:
250
Plazo de entrega de fábrica
18 Semanas
Precio (USD)
Cantidad
Precio unitario
Precio total
250
$0.1367
$34.1750
1.000
$0.1309
$130.9000
2.500
$0.1255
$313.7500
5.000
$0.1238
$619.0000
10.000
$0.1174
$1,174.0000
30.000
$0.1131
$3,393.0000
50.000
$0.1128
$5,640.0000
100.000 +
$0.1117
$11,170.0000
Embalaje estándar del proveedor
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