FDG6303N

The FDG6303N is a dual N-Channel, logic-level enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) designed for low-voltage applications. .. Ver descripción completa

RoHS no cumple con RoHS

Reel embalaje

Descontinuado y reemplazado

Accesorios

Certificate of Compliance Guarantee

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Productos Encontrados: 0

Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

FDG6303N

RoHS:

HTS:

8541210095

COO:

ECCN:

EAR99

Paquete estándar del proveedor Esta información se proporciona a los clientes que prefieren comprar en múltiplos de la cantidad del paquete estándar del fabricante. Las cantidades mínimas de pedido y los múltiplos de pedido requeridos se presentan con nuestra información de precios y d

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3000

Tipo de paquete:

Reel

Ciclo vital:

Descontinuado y reemplazado

The FDG6303N is a dual N-Channel, logic-level enhancement mode FET utilizing high cell density DMOS technology to minimize on-state resistance. This device is rated for a drain-source voltage of 25V and handles a continuous drain current of 0.5A, featuring a low on-state resistance of 0.45 Ω at a 4.5V gate drive. Its very low gate threshold voltage (VGS(th) < 1.5V) allows for direct operation in 3V circuits, and an integrated Gate-Source Zener provides ESD protection over 6kV (HBM). Housed in a compact SC70-6 surface-mount package, the FDG6303N is an ideal replacement for bipolar digital transistors and small-signal MOSFETs in low-voltage systems.