MJD127T4G by onsemi

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MJD127T4G

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

RoHS no cumple con RoHS

embalaje

Accesorios

Certificate of Compliance Guarantee

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Productos Encontrados: 0

Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

MJD127T4G

RoHS:

No

HTS:

8541290095

COO:

MY

ECCN:

EAR99

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2500

Maximum Collector Emitter Voltage:

100 V

Maximum Collector Base Voltage:

100 V

Family:

MJD127

Maximum Base Emitter Saturation Voltage:

4.5@80mA@8A V

Dimension:

6.73(Max) x 6.22(Max) x 2.38(Max) mm

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

2@16mA@4A,4@80mA@8A V

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Características destacadas del producto:

Aplicaciones potenciales:

Palabras clave de búsqueda:

MJD127T4G

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$277.0000

2.500

$0.2632

$658.0000

5.000

$0.2566

$1,283.0000

7.500

$0.2559

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$0.2553

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