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MJE15032G

The MJE15032G is an NPN silicon power transistor designed for use as a high-frequency driver in audio amplifiers. .. Ver descripción completa

RoHS no cumple con RoHS

embalaje

Accesorios

Certificate of Compliance Guarantee

Atributo del producto

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Productos Encontrados: 0

Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

MJE15032G

RoHS:

HTS:

8541290095

COO:

ECCN:

EAR99

Paquete estándar del proveedor Esta información se proporciona a los clientes que prefieren comprar en múltiplos de la cantidad del paquete estándar del fabricante. Las cantidades mínimas de pedido y los múltiplos de pedido requeridos se presentan con nuestra información de precios y d

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Dimension:

10.28(Max) x 4.82(Max) x 9.28(Max) mm

Family:

MJE15032

Maximum Collector Base Voltage:

250 V

The MJE15032G is an NPN complementary silicon power transistor specifically designed for high-frequency driver applications. It features a high collector-emitter voltage rating of 250V and supports a continuous collector current of 8.0A, with a peak capability of 16A. Key dynamic characteristics include a high current-gain bandwidth product of at least 30 MHz and a DC current gain of 70 minimum at 1.0A. Housed in a TO-220 package, this transistor's robust performance and 50W power dissipation capability make it an ideal choice for driver stages in audio amplifiers and other power control circuits.