NCD57001DWR2G
onsemiIsolated high current and high efficiency SiC/MOSFET/IGBT gate driver with internal galvanic isolation
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Proveedor:
onsemi
Nº de pieza:
NCD57001DWR2G
RoHS:
Yes
HTS:
8542390070
COO:
US
ECCN:
EAR99
Embalaje estándar del proveedor
1000
Isolated high current and high efficiency SiC/MOSFET/IGBT gate driver with internal galvanic isolation
Palabras clave de búsqueda:
NCD57001DWR2G
EN STOCK:
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250
Plazo de entrega de fábrica
28 Semanas
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