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NCV57001FDWR2G by onsemi
FICHA TÉCNICA

NCV57001FDWR2G

onsemi

Isolated high current and high efficiency SiC/MOSFET/IGBT gate driver with internal galvanic isolation Isolated High Current IGBT Gate Driver

Cumple con RoHS
embalaje
Accesorios
Accesorios
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Atributo del producto
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Productos Encontrados: 0
Proveedor:
onsemi
Nº de pieza:
NCV57001FDWR2G
RoHS:
Yes
HTS:
8542390070
COO:
US
ECCN:
EAR99
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1000
Isolated high current and high efficiency SiC/MOSFET/IGBT gate driver with internal galvanic isolation Isolated High Current IGBT Gate Driver
Palabras clave de búsqueda:
NCV57001FDWR2G
EN STOCK: 0
MOQ para cantidad agotada:
250
Plazo de entrega de fábrica
26 Semanas
Precio (USD)
Cantidad
Precio unitario
Precio total
250
$4.68
$1,170.00
500
$2.88
$1,440.00
750
$2.28
$1,710.00
1.000 +
$2.23
$2,230.00
Embalaje estándar del proveedor
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