NTGD4167CT1G

A complementary Power MOSFET featuring both an N-Channel and a P-Channel device with a 30V drain-source voltage rating in a dual TSOP-6 package. .. Ver descripción completa

Cumple con RoHS

embalaje

Accesorios

Certificate of Compliance Guarantee

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Productos Encontrados: 0

Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

NTGD4167CT1G

RoHS:

Yes

HTS:

8541290095

COO:

ECCN:

EAR99

Paquete estándar del proveedor Esta información se proporciona a los clientes que prefieren comprar en múltiplos de la cantidad del paquete estándar del fabricante. Las cantidades mínimas de pedido y los múltiplos de pedido requeridos se presentan con nuestra información de precios y d

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3000

The NTGD4167CT1G is a complementary Power MOSFET that integrates both an N-Channel and a P-Channel transistor into a single, compact 3x3 mm TSOP-6 package. The N-Channel component features a maximum on-resistance (RDS(on)) of 90 mÎ© at a 4.5V gate voltage, while the P-Channel offers an RDS(on) of 170 mÎ© at -4.5V. This device utilizes leading-edge trench technology for low on-resistance and has reduced gate charge to improve switching response. With independently connected devices, it provides significant design flexibility for applications such as DC-DC conversion circuits and load/power switching with level shifting.